掺杂GaN纳米线制备技术-T 工业技术-北京天启书苑文化传媒有限公司

掺杂GaN纳米线制备技术

ISBN：9787502496401

价格：72

副题名：

分辑号：

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主要著作者：崔真，吴辉，李恩玲著

发行地：北京

出版社：冶金工业出版社

出版日期：2023.1

页码：158页

开本：24cm

丛书项：

一般性附注：

读者对象：本书可供电子科学与技术、微电子学与固体电子学、光电信息工程、物理学类本科生、研究生及相关领域工程技术人员阅读。也可作为高等院校相关专业师生的教学参考书

主题词：北京天启书苑文化传媒有限公司,推购书目,联合编目

中图法分类：TB383

装帧：

版次：

图表：图

语种：chi

本书共分9章, 主要内容包括各种元素掺杂GaN纳米线的制备工艺与性能测试。对掺杂可以改善GaN纳米线电学特性的原因进行了讨论。另外, 还介绍了AIN包覆GaN纳米线的制备及表征, 分析了AlN包覆GaN纳米线的形成机理。本书内容涉及物理、化学、材料和电子信息等多个领域的相关知识, 书中详细地给出了各种掺杂GaN纳米线制备的最佳工艺, 以便读者更好地了解本书的内容。

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