碳化硅功率模块设计-T 工业技术-北京天启书苑文化传媒有限公司

碳化硅功率模块设计

ISBN：9787111766544

价格：119

副题名：先进性、鲁棒性和可靠性

分辑号：

分辑名：

主要著作者：(日)阿尔贝托·卡斯特拉齐(Alberto Castellazzi)，(意)安德里亚·伊拉斯(Andrea Irace)等著

发行地：北京

出版社：机械工业出版社

出版日期：2024

页码：247页

开本：24cm

丛书项：集成电路科学与工程丛书

一般性附注：

读者对象：

主题词：功率半导体器件

中图法分类：TN303

装帧：

版次：

图表：图，彩照

语种：chi

本书介绍了多芯片SiC MOSFET功率模块设计所面临的物理挑战及相应的工程解决方案，主要内容包括多芯片功率模块、功率模块设计及应用、功率模块优化设计、功率模块寿命评估方法、耐高温功率模块、功率模块先进评估技术、功率模块退化监测技术、功率模块先进热管理方案、功率模块新兴的封装技术等，旨在向读者提供关于多芯片SiC MOSFET功率模块定制开发相关的系统性指导。

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