碳化硅功率器件-T 工业技术-北京天启书苑文化传媒有限公司

碳化硅功率器件

ISBN：9787111778936

价格：149

副题名：

分辑号：

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主要著作者：高远,张岩编著

发行地：北京

出版社：机械工业出版社

出版日期：2025.3

页码：

开本：23cm

丛书项：电力电子新技术系列图书

一般性附注：

读者对象：

主题词：功率半导体器件

中图法分类：TN303

装帧：

版次：

图表：

语种：chi

本书综合了近几年工业界的最新进展和学术界的最新研究成果，详细介绍并讨论了碳化硅功率器件的基本原理、发展现状与趋势、特性及测试方法、应用技术和各应用领域的方案。本书共分为12章，内容涵盖功率半导体器件基础，SiC二极管的主要特性，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，SiC器件与Si器件特性对比，双脉冲测试技术，SiC器件测试和失效分析技术，高di/dt影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与应对——串扰，高dv/dt影响与应对——共模电流，共源极电感影响与应对，驱动电路，SiC器件的主要应用。

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